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J-GLOBAL ID：201702261103404295   整理番号：17A0539763

走査ケルビンプローブ顕微鏡による局所荷電イメージング

Localized charge imaging with scanning Kelvin probe microscopy

著者 (5件)： ORIHUELA M F (Universidad de Murcia, Murcia, ESP) ,  SOMOZA A M (Universidad de Murcia, Murcia, ESP) ,  COLCHERO J (Universidad de Murcia, Murcia, ESP) ,  ORTUNO M (Universidad de Murcia, Murcia, ESP) ,  PALACIOS-LIDON E (Universidad de Murcia, Murcia, ESP)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 2  ページ： 025703,1-10  発行年： 2017年01月13日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,局所荷電された絶縁サンプルの走査ケルビンプローブ顕微鏡イメージングのモデルと解釈に対する直感的な容易な実行可能な方法を提案する。この方法は,映像電荷法に基づいており,異なったサイズの荷電に対する実験測定の予測で確認された。予測と実験結果の比較は,横方向のプロフィールだけでなく,チップ-サンプル距離曲線のスペクトロスコピーでも一致した。提案した理論的モデルは,複雑な電荷分布を持つモデルにも容易に導入できる。実際,通常のケルビン電圧イメージから一般システムの電荷分布を決定するためには,逆問題が解けばよい。このことは大変な作業ではあるが,映像電荷とチップ間のポテンシャル項が球状のチップ形状としたモデルで正しく表現でき,容易に解くことができる。ただし,まだ達成はされておらず,これからの課題である。

シソーラス用語： *力顕微鏡 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  局所性 ,  電荷 ,  画像処理 ,  *モデリング ,  *電荷分布
準シソーラス用語： *Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  局所荷電 ,  イメージング

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 走査 ,  ケルビン ,  プローブ顕微鏡 ,  荷電 ,  イメージング