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J-GLOBAL ID：201702261140605070   整理番号：17A0943601

チップ上のCherenkov放射を生成するための電子速度限界を破る【Powered by NICT】

Break the electron speed limit to generate Cherenkov radiation on a chip

著者 (4件)： Xiao Long (Science and Technology on Electronmagnetic Compatibility Laboratory, China Ship Development and Design Center, Wuhan, China) ,  Hui Tan (Science and Technology on Electronmagnetic Compatibility Laboratory, China Ship Development and Design Center, Wuhan, China) ,  Li Tao (Science and Technology on Electronmagnetic Compatibility Laboratory, China Ship Development and Design Center, Wuhan, China) ,  Chun Wang (Science and Technology on Electronmagnetic Compatibility Laboratory, China Ship Development and Design Center, Wuhan, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： iWAT  ページ： 219-222  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cherenkov放射(CR)は媒質中の光の位相速度よりも大きい速度での誘電媒質を通過する移動電荷により放出された電磁放射である。しかし,これらの新しい材料の助けを借りても,荷電粒子の速度しきい値が存在するCRを生成し,電子エネルギーが20keVより常に大きかった。著者らはCRを生成し,最初のオンチップ集積CR紫外光源を報告する電子速度しきい値を除去するための新しいアプローチを提案した。双曲型メタ材料の表面に及ぼすフライ電子を,CRは電子速度しきい値が得られないことを予測した。多層メタ材料に平面電子エミッタを統合することにより,電子エネルギーが1keVの低い場合でも,70nmから500nmまでCR生成をシミュレートした。CRを利用し,チップ上の人工ナノ構造を持つ飛行電子の相互作用を研究することにより,オンチップ集積オプトエレクトロニクス素子の可能性を開くものである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相速度 ,  相互作用 ,  荷電粒子 ,  *Cherenkov放射 ,  誘電体 ,  OEIC ,  多層 ,  電荷 ,  紫外光源 ,  媒質 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： メタマテリアル ,  オンチップ ,  電子エネルギー ,  *電子速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電磁場中の粒子の運動及び放射  (BD01030Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： Cherenkov放射 ,  電子 ,  速度限界