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J-GLOBAL ID:201702261166674591   整理番号:17A1282286

高周波マグネトロンスパッタリングによる窒化ケイ素ベースZnO薄膜の光ルミネセンス特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence of Silicon Nitride-Based ZnO Thin Film Developed with RF Magnetron Sputtering
著者 (3件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 391-393  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2093A  ISSN: 1000-0593  CODEN: GYGFED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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窒化ケイ素薄膜は,耐食性,高温安定性,機械的強度などの多くの利点を有する。それらは,透過型電子顕微鏡(TEM),走査電子顕微鏡(SEM),原子間力顕微鏡(AFM),X線光電子分光法(XPS),エネルギー分散X線分光法(EDX)などによって特性評価されることができることが示された,そして,それらの特性は実験的に支持されていることが示された。特に,SiNはSEM観察における低い背景となり得る。しかし、SiN薄膜の悪い蛍光性は、さらに蛍光デバイスにおける幅広い応用を制限している。SiN薄膜窓の蛍光効率をさらに向上させるため、実験研究では、RFマグネトロンスパッタリング技術を用いて、SiNx薄膜上にZnO薄膜を作製し、それぞれ窒素雰囲気の非インサイチュ焼なましとその場アニール処理を行った。次に,原子間力顕微鏡(AFM),走査型電子顕微鏡(SEM),Raman分光法(Raman)を用いて,薄膜の微細構造と光ルミネセンス(PL)特性を研究し,薄膜の発光特性を系統的に調べた。実験結果によると、めっき膜の蛍光強度は一般的に向上し、焼なましは結晶粒の更なる成長、結晶化性能の大幅な向上、結晶粒界の減少を促進し、しかもアニーリング方式はRFマグネトロンスパッタリング法で作製したZnO/SiN複合薄膜の微細構造と発光性能に対して顕著な影響がある。SiNx膜と比較して,アニールされていないZnO/SiNx膜とN2雰囲気での非アニール化ZnO/SiN x膜の固有の発光強度は,それぞれ,7.7nmと34.0倍に増加した。in situアニーリングにより処理されたZnO/SiNx膜は,非アニール膜と比較して,より多くの酸素空孔欠陥を有し,可視光バンドのPL強度を示し,425~600nmの可視光バンドにおいて,より高い光ルミネセンスを示した。これらの結果は窒化ケイ素ZnO薄膜の調製パラメータを最適化するのに役立つ。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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固体デバイス材料 
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