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J-GLOBAL ID：201702261172577283   整理番号：17A0685833

電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製

Electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films

著者 (2件)： 小林悟史 (名古屋工大 大学院) ,  市村正也 (名古屋工大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 58(ED2017 15-26)  ページ： 23-28  発行年： 2017年05月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 鉄錆の一種である鱗鉄鋼(γ-FeOOH)は無害で豊富に存在し,2.2~2.6eVのバンドギャップを持つn型半導体として知られている。先行研究において電気化学堆積(ECD)法を用い,γ-FeOOH薄膜半導体の作製に成功している。そこで,酸化鉄系材料同士による低コストな太陽電池を作製するためにp型の酸化鉄の作製を試みた。ECD法を用いてγ-FeOOHにCuを添加することでCuがアクセプターとして作用することを図った。オージェ電子分光測定から薄膜にCuがほぼ均一に含まれていることを観測した。さらに,光電気化学測定の結果から伝導型がp型であることを確認した。また,薄膜を太陽電池のp型層に用いるために,熱処理を行い,特性が改善されたことを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： 電着 ,  *P型半導体 ,  半導体薄膜 ,  太陽電池 ,  *薄膜成長 ,  ドーピング ,  銅 ,  *酸化鉄 ,  電流電圧特性 ,  電子顕微鏡観察 ,  スペクトル ,  透過率
準シソーラス用語： 光透過スペクトル ,  光透過率 ,  電気化学堆積

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (15件)：

• 市村 正也:「太陽電池入門」オーム社(2004)
• H. Li, W. Li, Y. Zhang, T. Wang, B. Wang, W. Xu, L. Jiang, W. Song, C. Shu, and C. Wang, J. Mater. Chem, 21, (2011), 7878.
• Y. Jia, T. Luo, X.-Y. Yu, Z. Jin, B. Sun, J.-H. Liu, and X.-J. Huang, New J. Chem. 37, (2013), 2551.
• J. J. M. Vequizo and M. Ichimura, Appl. Phys, 6,(2013), 125501.
• E. E. Carpenter, V. Cestone, G. Landry, V. G. Harris, and K. M. Kemner, Chem. Mater. 15, (2003), 1235.

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学堆積 ,  Cu ,  Fe ,  薄膜半導体 ,  作製