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J-GLOBAL ID：201702261173508088   整理番号：17A0403938

MgとZnドーピングによるp型CuGaO_2半導体薄膜の改善された電気的性質【Powered by NICT】

Improved electrical properties of p-type CuGaO₂ semiconductor thin films through Mg and Zn doping

著者 (2件)： Tsay Chien-Yie (Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan) ,  Chen Ching-Lien (Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 2  ページ： 2563-2567  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンドープ,MgドープおよびZnドープp型CuGaO_2半導体薄膜をゾル-ゲルスピンコーティング法により石英基板上に堆積した。CuGaO_2~ベース薄膜の構造特性と電気的性質に及ぼす二種類のドーパント(MgおよびZn)の影響を調べた。ドーピング濃度は不純物ドーピング前駆体溶液中1at%で維持された。X線回折(XRD)結果は,非ドープCuGaO_2薄膜は単相デラフォサイト相をもつことを示した。MgとZnをドープした薄膜は混合CuGaO_2とCuGa_2O_4相を示した。走査型プローブ顕微鏡(SPM)画像は,高密度CuGaO_2~ベース薄膜の表面は,明らかに粒状構造を示すことが分かった。Hall測定は,三つの酸化物半導体薄膜はp型伝導率を有することを確認した。アンドープCuGaO_2薄膜と比較して,MgとZnをドープした薄膜は電気的特性の改善を示し,Znをドープした薄膜は,3.49×10~16cm~ 3の最高平均キャリア濃度を持っていた。添加では,三種類のn Si/p CuGaO_2~ベース薄膜ヘテロ接合を作製し,その電流-電圧(I V)特性を調べた。n Si/p CuGaO_2:Znヘテロ接合は2.9Vの順方向ターンオン電圧を持つ明確な整流I-V特性を示すことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 整流 ,  X線回折 ,  *ドーピング ,  ドーパント ,  *亜鉛 ,  ゲル ,  単相 ,  不純物 ,  *半導体薄膜 ,  キャリア密度 ,  *薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  構造特性 ,  *マグネシウム
準シソーラス用語： 高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A膜 ,  A.ゾル-ゲル過程 ,  C.電気的性質 ,  E.機能的応用

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mg ,  Zn ,  ドーピング ,  半導体薄膜 ,  電気的性質