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J-GLOBAL ID：201702261229760627   整理番号：17A0697833

セラミック及び金属回転ターゲットからのパルスDCマグネトロンスパッタリングにより低温で蒸着した高導電性で透明なITO膜【Powered by NICT】

Highly conductive and transparent ITO films deposited at low temperatures by pulsed DC magnetron sputtering from ceramic and metallic rotary targets

著者 (4件)： David C. (Solayer GmbH, Sachsenallee 28, 01723 Kesselsdorf, Germany) ,  Tinkham B.P. (Solayer GmbH, Sachsenallee 28, 01723 Kesselsdorf, Germany) ,  Prunici P. (Solayer GmbH, Sachsenallee 28, 01723 Kesselsdorf, Germany) ,  Panckow A. (Solayer GmbH, Sachsenallee 28, 01723 Kesselsdorf, Germany)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 314  ページ： 113-117  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複雑なデバイス構造の製作には,しばしば,温度に敏感な基板上のインジウムスズ酸化物(ITO)薄膜の蒸着を必要とする。例えば,ディスプレイ,タッチパネル,およびエレクトロルミネセンスデバイスに用いられる電子部品や有機材料を含む基板は,プロセス温度を制限する100°C以下に現在最良ITO品質は200°C以上の基板温度でセラミックターゲットを用いたマグネトロンスパッタリングで堆積した膜で達成された。本研究では,厚さ25nmから200nmの範囲のITO層は回転インジウムすずターゲットからの回転セラミックITOターゲットと反応性スパッタリングを用いてパルスDCマグネトロンスパッタリングによりガラス基板上に堆積した。光学的および電気的性質を測定し,比較して両タイプのITO層のであった。堆積したままの膜は電気伝導率と光透過率を高めるために成長後処理した。標準熱処理は100°C以下で保持基板温度を目的としてフラッシュランプアニーリング(FLA)と比較した電気的および光学的性質の増強はシート抵抗測定と光学分光法によって決定した。87%以上の光透過をもつITOコーティングと抵抗率2.5×10~ 4Ωcm以下が達成された。蒸着中の酸素流の強い影響は後処理後の電気的および光学的性質に対して観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化スズ ,  透過率 ,  *セラミック ,  光学的性質 ,  反応性スパッタリング ,  *蒸着 ,  基板温度 ,  シート抵抗 ,  素子構造 ,  後処理 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  光透過 ,  インジウム ,  *スパッタリング
準シソーラス用語： 光透過率 ,  *DCマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： インジウムすず酸化物 ,  アニーリング ,  スパッタリング ,  FLA ,  電気的性質 ,  光学的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： セラミック ,  ターゲット ,  パルス ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  低温 ,  蒸着 ,  高導電性 ,  ITO膜