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J-GLOBAL ID：201702261236386055   整理番号：17A1355258

低障壁高さスピネルMgGa_2O_4を用いたエピタキシャル磁気トンネル接合【Powered by NICT】

Epitaxial magnetic tunnel junctions with a low barrier height spinel MgGa₂O₄

著者 (12件)： Sukegawa H. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan) ,  Kato Y. (Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Belmoubarik M. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan) ,  Cheng P. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan) ,  Daibou T. (Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Shimomura N. (Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Kamiguchi Y. (Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Ito J. (Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Yoda H. (Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Ohkubo T. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan) ,  Mitani S. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan) ,  Hono K. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： INTERMAG  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgO障壁ベース磁気トンネル接合(MTJ)を,ハードディスクドライブの読取ヘッドと不揮発性磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)のような重要なスピントロニクスデバイス応用のため,大きな注目を集めている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  非揮発性 ,  *磁気 ,  *スピネル ,  酸化マグネシウム ,  *磁気トンネル接合 ,  *障壁高さ ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： ReRAM ,  ハードディスクドライブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 障壁高さ ,  スピネル ,  エピタキシャル ,  磁気トンネル接合