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J-GLOBAL ID：201702261258766095   整理番号：17A0834016

データ蓄積応用のための有機高分子マトリックス中への無機ナノ粒子の取込【Powered by NICT】

Incorporation of inorganic nanoparticles into an organic polymer matrix for data storage application

著者 (4件)： Kaur Ramneek (Department of Physics, Panjab University, Chandigarh 160 014, India) ,  Kaur Ramneek (Department of Physics, Akal University, Talwandi Sabo 151302, Punjab, India) ,  Singh Janpreet (Department of Physics, Panjab University, Chandigarh 160 014, India) ,  Tripathi S.K. (Department of Physics, Panjab University, Chandigarh 160 014, India)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 5  ページ： 756-762  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子ナノ複合材料ベースのエネルギー貯蔵デバイスの需要は増大した。本研究では,データ記憶装置のためのハイブリッド高分子ナノ複合材料(ポリ(N ビニル カルバゾール)(PVK)マトリックス中に埋め込まれたCdSeナノ粒子)の適用を実証した。CdSe/PVKナノ複合材料を,ex-situ化学法により合成することに成功した。X線回折解析から,(111),(220)および(311)立方晶結晶面をもつCdSeナノ粒子の閃亜鉛鉱構造が観察された。CdSe/PVKナノ複合材料のTEM顕微鏡写真は,平均粒径6 7nm,PVKマトリックス中に均一に分散しを有する球状CdSeナノ粒子を示した。CdSe/PVKナノ複合材料は,PVKのCdSeナノ粒子とp-PVK立体配座による光ルミネセンスを示した。A FM解析を用いて計算したナノ複合材料膜の平均表面粗さは45.12nmであった。構造Al/(CdSe/PVK)/Ag,二端子伝導率スイッチング素子を作製し,特性化した。伝導率スイッチングはCdSeナノ粒子とPVKマトリックスを通る電子トラッピングとトンネリングに起因した。書き込み読み出し消去サイクルはON/OFF比~10~4を有する素子の良好な安定性を示した。得られた結果は,データ記憶装置におけるCdSe/PVKナノ複合材料の応用を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー貯蔵 ,  光ルミネセンス ,  *データ蓄積 ,  スイッチング ,  高分子複合体 ,  スイッチング素子 ,  X線回折 ,  *ナノ粒子 ,  ナノ複合材料 ,  結晶面 ,  トンネル効果 ,  立体配座 ,  セレン化カドミウム ,  アルミニウム ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ポリマナノ複合材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 重合体 ,  Nanocomposites ,  ハイブリッド複合材料 ,  抵抗スイッチング

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： データ蓄積 ,  応用 ,  高分子マトリックス ,  ナノ粒子 ,  取込