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J-GLOBAL ID：201702261273892894   整理番号：17A1636669

eWLB実装技術を用いた非ガルバニックDバンドMMICへの導波管変換【Powered by NICT】

A non-galvanic D-band MMIC-to-waveguide transition using eWLB packaging technology

著者 (8件)： Hassona Ahmed (Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden) ,  He Zhongxia Simon (Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden) ,  Mariotti Chiara (Infineon Technologies Austria AG, Villach, Austria) ,  Dielacher Franz (Infineon Technologies Austria AG, Villach, Austria) ,  Vassilev Vessen (Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden) ,  Li Yinggang (Ericsson AB, Gothenburg, Sweden) ,  Oberhammer Joachim (KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Zirath Herbert (Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 510-512  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,低コストの組込みウエハレベルボールグリッドアレイ(eWLB)市販プロセスで実現した新しいDバンド相互接続を提示した。非ガルバニー電気転移は標準空気を充填した導波路に放射する直接スロットアンテナを通して実現した。相互接続は,低挿入損失と比較的広い帯域幅を達成した。測定された平均挿入損は110138GHzの周波数範囲をカバーする22%の帯域幅にわたって3dBであった。測定した平均光反射損失は,同一周波数範囲で 10dBであった。低コストeWLBプロセスと標準導波管を採用する遷移100GHz以上の相互接続のための魅力的な解決策。この解はチップ(SoC)を用いたミリ波システムを可能にする製造と組み立てた高体積コスト効果的にすることができた。著者らの知る限りでは,これはeWLB技術を用いた100GHz以上の包装溶液を作製するため最初のものである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *導波路 ,  挿入損 ,  周波数 ,  *MMIC ,  帯域幅 ,  EHF波 ,  スロットアンテナ ,  相互接続
準シソーラス用語： システムオンチップ ,  *Dバンド ,  *実装技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  導波管,同軸線路  (NC04040N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 実装技術 ,  Dバンド ,  MMIC ,  導波管