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J-GLOBAL ID:201702261320668466   整理番号:17A1025765

6.7GHz能動ゲートドライバを用いた650V GaN FETブリッジ脚における成形スイッチング波形【Powered by NICT】

Shaping switching waveforms in a 650 V GaN FET bridge-leg using 6.7 GHz active gate drivers
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: APEC 2017  ページ: 1983-1989  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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40V GaN FETへの活性ゲート駆動の適用は,以前にスイッチノード電圧波形のリンギングとEMI発生スペクトル含有量を減少させることが示されている。本論文では,初めて,650V GaN FETに適用したアクティブゲート駆動,スイッチング過渡現象中のデバイス電圧と電流の形成を示した。カスタム集積能動ゲート駆動回路は,0.12から64Ωにその出力抵抗を動的に変化できる,150psのタイミング分解能を用いた。200V DCリンクと10A負荷電流では,能動スイッチドレイン電流とスイッチノード電圧制御のかなりの程度を実証し,バックとブーストモード運転の両方である。回路寄生による電力波形の電流オーバーシュートやリンギングを積極的に減少し,DCリンクにおける電圧振動は減衰した。抵抗配列のタイミングは活性成形法の成功にとって重要であることが示され,ドライバの比類のない150psの分解能の増加を示唆している。連続運転下で,100Vと2A負荷電流の評価でスイッチノード電圧と電圧スペクトルの顕著な制御も実証した。スイッチング遅れ時間を減少させると,スペクトルの一部は9dBまで減少し,ゲート抵抗を3倍の効果に相当するが,全体的なスイッチング速度の減少は少しもなかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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電力変換器  ,  図形・画像処理一般 

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