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J-GLOBAL ID：201702261328780703   整理番号：17A0580986

Zn_xAl_1-xOおよびZn_xGa_1-xOシード層を用いることによる超微細ZnOナノワイヤの低温PLD成長

Low-Temperature PLD-Growth of Ultrathin ZnO Nanowires by Using Zn_xAl_1-xO and Zn_xGa_1-xO Seed Layers

著者 (5件)： SHKURMANOV Alexander (Univ. Leipzig) ,  STURM Chris (Univ. Leipzig) ,  FRANKE Helena (Univ. Leipzig) ,  LENZNER Joerg (Univ. Leipzig) ,  GRUNDMANN Marius (Univ. Leipzig)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12  号： 1  ページ： 12:134 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOナノワイヤ(NW)は,組み立てブロックとして,発光,共振器,およびセンサなどの広い範囲の異なったデバイス用に使用されている。そのような構造へのNWの集積化は,高レベルのNW直径の制御が要求される。この論文では,Zn_xAl_1-xOおよびZn_xGa_1-xOシード層のドーピング濃度がNWの成長に強い影響力を持ち,NWの直径を7nmより二桁も小さい値に調整が可能である。これらの超細NWは,良く配列した垂直成長で,量子効果の研究のために見込みがある。ZnOシード層のドーピングは,堆積温度に影響し,T~400°Cまで減少することができる。この温度は,パルスレーザによるNWの製造で使用する典型的な温度よりも低い。NW成長へのGaドーピングの影響はAlドーピングよりも強く,ドーパントのサイズであると考えている。NWの光学特性は,カソードルミネッセンススペクトロスコピーで研究し,高結晶品質を示した。細いナノワイヤに対して,放出特性は,主に表面近傍の特性により決定される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *パルスレーザ蒸着 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  *下層 ,  酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  温度 ,  陰極線ルミネセンス
準シソーラス用語： PLD【蒸着】 ,  *シード層 ,  成長温度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： シード層 ,  超微細 ,  ZnOナノワイヤ ,  低温 ,  PLD ,  成長