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J-GLOBAL ID:201702261393841417   整理番号:17A1250848

0バイアス下での21GHzを越える帯域幅を持つエバネッセント結合導波路InGaAs UTC-PD【Powered by NICT】

Evanescently Coupled Waveguide InGaAs UTC-PD Having an Over 21 GHz Bandwidth Under Zero Bias
著者 (8件):
資料名:
巻: 29  号: 14  ページ: 1155-1158  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0721A  ISSN: 1041-1135  CODEN: IPTLEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エバネセント結合導波路InGaAsユニトラベリングキャリアフォトダイオード(PD)の設計と製作を提示した。InGaAs吸収層gradedlyをドーピングすることにより,大きなビルトイン電場を得ることができた。その結果,4μm 広範囲15μm長PDは零バイアスで21GHz以上の帯域幅を示した。受動入力導波路を簡単なプロセス,他の光学部品を用いたPDの統合を容易にするによるPDをモノリシックに集積した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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光通信方式・機器  ,  光導電素子 
タイトルに関連する用語 (4件):
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