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J-GLOBAL ID：201702261510892961   整理番号：17A0953488

単層ペンタセン薄膜/極性ZnO単結晶ハイブリッド界面に関する光電子分光研究

Photoelectron spectroscopic study on monolayer pentacene thin-film/polar ZnO single-crystal hybrid interface

著者 (11件)： NAGATA Takahiro (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA Tatsuru (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA Tatsuru (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  HAYAKAWA Ryoma (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  YOSHIMURA Takeshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  OH Seungjun (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  HIROSHIBA Nobuya (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  HIROSHIBA Nobuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHIKYOW Toyohiro (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  FUJIMURA Norifumi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  WAKAYAMA Yutaka (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 2  ページ： 025702.1-025702.4  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層ペンタセン薄膜/ZnO界面の電子状態に対するZnOの極性効果を,X線光電子分光法(XPS)により研究した。XPSにより,Zn極性ZnO(Zn-ZnO)によって,界面のペンタセンにおける電子が強く空乏化することを明らかにした。O極性ZnOはZn-ZnOよりも大きいZnOからペンタセンへの電子移動を示した。ZnO上のペンタセンの表面ポテンシャルは,ZnO極性に関係なくバルクペンタセンのものより大きかった。これら研究結果は,ZnOの極性が有機/無機半導体界面の電子状態を制御する可能性があることを示す。単層ペンタセン薄膜/ZnO界面の電子状態に対するZnOの極性効果を,X線光電子分光法(XPS)により研究した。XPSにより,Zn極性ZnO(Zn-ZnO)によって,界面のペンタセンにおける電子が強く空乏化することを明らかにした。O極性ZnOはZn-ZnOよりも大きいZnOからペンタセンへの電子移動を示した。ZnO上のペンタセンの表面ポテンシャルは,ZnO極性に関係なくバルクペンタセンのものより大きかった。これら研究結果は,ZnOの極性が有機/無機半導体界面の電子状態を制御する可能性があることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 単分子層 ,  *酸化亜鉛 ,  単結晶 ,  極性 ,  X線光電子分光法 ,  空乏層 ,  電子移動 ,  表面電位 ,  有機半導体 ,  化合物半導体 ,  力顕微鏡 ,  *バンド構造 ,  表面準位 ,  ヘテロ接合 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  *界面準位 ,  酸化物半導体 ,  表面ポテンシャル

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (30件)：

• M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. Yang, Nat. Mater. 4, 455 (2005).
• Y. Guo, Y. Zhang, H. Liu, S. W. Lai, Y. Li, Y. Li, W. Hu, S. Wang, C. M. Che, and D. Zhu, J. Phys. Chem. Lett. 1, 327 (2010).
• H. Lin, H. Liu, X. Qian, S. Lai, Y. Li, N. Chen, C. Ouyang, C. Che, and Y. Li, Inorg. Chem. 50, 7749 (2011).
• S. Oh, T. Nagata, J. Volk, and Y. Wakayama, J. Appl. Phys. 113, 083708 (2013).
• D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).

タイトルに関連する用語 (9件)： 単層 ,  ペンタセン ,  薄膜 ,  極性 ,  ZnO ,  単結晶 ,  界面 ,  光電子分光 ,  研究