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J-GLOBAL ID:201702261531743583   整理番号:17A1723154

多孔質シリコンセンサアレイの測定のための光学的レイアウト【Powered by NICT】

Optical layout for the measurement of a porous silicon sensor array
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: CLEO/Europe-EQEC  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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多孔質材料は,理想的にはガスセンシングに適し,大きな有効表面積により特性化し,揮発性有機化合物の吸着と毛管凝縮を可能にした。多孔質シリコン(PSi)作製は容易に制御された空隙率と屈折率のような高度に定義可能なパラメータを導いた。実例では,PSiセンサは選択性問題の不足に悩まされ,それを克服する一つの方法は,温度,湿度,追加的な分析物の存在下[1]のような他の環境条件の相補的補償のための情報と参照を提供するアレイの使用である。Pacholskiらは,pSiに基づく二センサアレイを報告する最初であった二pSiセンサは,他のトップ[2]上に積層した。これら多孔質Si層からの反射スペクトルを,Fourier変換によって分解した三重畳干渉パターンを含んでいた。それらの技術は,その後,種々のセンシングスキーム[3+4]のために使用した。以前の発表で我々は多重センシング法を報告し,アンモニアと湿度[5]の同時検出のための二官能化pSi断面のそれを示した。著者らが提案した方法では,デバイスはお互いに隣接して行った断面多孔質シリコン(pSi)センサから構成され,他のトップ上に積層したとは対照的である。並列法の利点は,積とスケーラビリティの構造的及び化学的独立性である。本稿の動機は,このスケーラビリティ特性を実証することである。単一白色光ビームによる平面アレイにおける四個のセンサの同時読み出しは,ここで初めて報告した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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