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J-GLOBAL ID：201702261549771493   整理番号：17A1682527

テルル化ビスマスベース熱電半導体結晶の研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Bismuth Telluride Based Thermoelectric Semiconductor Crystals

著者 (5件)： Li Xiaoya (中国科学院上海硅酸塩研究所 高性能陶瓷与超微結構国家重点実験室,上海,200050) ,  Chen Yan (中国科学院上海硅酸塩研究所 高性能陶瓷与超微結構国家重点実験室,上海 200050;河海大学常州校区机電学院,江蘇 常州 213022) ,  Hao Feng (中国科学院上海硅酸塩研究所 高性能陶瓷与超微結構国家重点実験室,上海,200050) ,  Bao Yefeng (河海大学常州校区机電学院,江蘇 常州,213022) ,  Chen Lidong (中国科学院上海硅酸塩研究所 高性能陶瓷与超微結構国家重点実験室,上海,200050)
資料名： Zhongguo Cailiao Jinzhan  (Zhongguo Cailiao Jinzhan)
巻： 36  号： 4  ページ： 270-278  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3058A  ISSN： 1674-3962  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： テルル化ビスマスベース熱電半導体は中低温領域における高性能熱電変換材料であり、マイクロエレクトロニクス、コンピュータ及び宇宙などの領域で局部冷却と精密温度制御に広く応用されており、工業廃熱回収の温度差発電などの分野で良好な応用前景がある。合金化とドーピングの方法により、フォノン散乱を増強し、格子の熱伝導率を低下させ、キャリア濃度を最適化することにより、電気性能を向上させ、テルル化ビスマス材料の熱電性能を向上させることができる。テルル化ビスマス結晶の構造とエネルギーバンド構造を簡単に紹介し,合金化とドーピングによるテルル化ビスマスベース半導体の熱電性能,テルル化ビスマスベース半導体結晶成長の方法及び空間マイクロ重力がテルル化ビスマス結晶の融解成長に与える影響を総括した。また、天宮二号空間実験室によるテルル化ビスマス結晶の成長及び関連研究を展望した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 宇宙空間 ,  合金化 ,  *結晶 ,  最適化 ,  低温 ,  キャリア密度 ,  マイクロエレクトロニクス ,  *半導体 ,  電気特性 ,  熱伝導率 ,  温度制御 ,  熱電材料 ,  廃熱回収
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  *テルル化ビスマス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： bismuth telluride ,  alloying and doping ,  thermoelectric properties ,  crystal growth ,  space microgravity

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： テルル化ビスマス ,  半導体結晶 ,  研究