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J-GLOBAL ID：201702261584509120   整理番号：17A0881619

非晶質GeSe_2Sn(0≦x≦0.8)薄膜の電気的性質に及ぼす組成の影響の研究【Powered by NICT】

Investigation of composition effect on electrical properties of noncrystalline GeSe_2- Sn (0 ≦ x ≦ 0.8) thin films

著者 (6件)： Darwish A.A.A. (Department of Physics, Faculty of Education at Al-Mahweet, Sana’a University, Al-Mahweet, Yemen) ,  Darwish A.A.A. (Department of Physics, Faculty of Science, University of Tabuk, Tabuk, Saudi Arabia) ,  Alharbi S.R. (Physics Department, Faculty of Science- Al Faisaliah, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Al Garni S.E. (Physics Department, Faculty of Science- Al Faisaliah, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Abd El-Rahman K.F. (Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy Square, 11757, Cairo, Egypt) ,  El-Nahass M.M. (Department of Physics, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy Square, 11757, Cairo, Egypt)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 710  ページ： 349-354  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質GeSe_2Sn_x(0≦x≦0.8)膜を,真空蒸着法によりpaperedした。X線回折はこれらの膜の非晶質性を付与した。GeSe_2Sn_薄膜の直流伝導率σ_dc,298 444の温度範囲でモル組成の関数として実施した。結果はσ_dcはSn組成,それはFermi準位の移動のためと考えられる増加と共に増加することを示した。添加では,伝導率は二つの伝導機構を有する熱活気づきプロセスである。高温領域では,伝導率はMeyer-Neldel則を利用した構築されていた。低温領域では,伝導率はMottの可変領域ホッピング伝導を利用した構築されていたとMottパラメータを計算した。,電流密度-電圧特性は,すべての薄膜試料を測定した。すべて研究した試料の実験データは空間電荷制限伝導(SCLC)の理論とよく一致した。状態密度(DOS)はSCLC測定を用いて確認した。Snの同心度の増加に伴うDOSの増加は欠陥状態の増加のためと考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 真空蒸着 ,  *非晶質 ,  X線回折 ,  *スズ ,  *薄膜 ,  *セレン ,  直流 ,  Fermi準位 ,  *電気的性質 ,  電気伝導率 ,  状態密度
準シソーラス用語： 可変領域ホッピング ,  Meyer-Neldel則 ,  伝導機構 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： カルコゲン化物 ,  Ge Se Sn ,  伝導機構 ,  電気伝導率

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  組成 ,  研究