文献

J-GLOBAL ID：201702261590448274   整理番号：17A0274524

KF後堆積処理による簡単な2段階セレン化プロセスによるCIS太陽電池における高短絡電流密度【Powered by NICT】

High Short-Circuit Current Density in CIS Solar Cells by a Simple Two-Step Selenization Process With a KF Postdeposition Treatment

著者 (4件)： Zhang Yang (Department of Electrical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA) ,  Bartolo Robert E. (Department of Electrical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA) ,  Kwon Sang Jik (Department of Electronics Engineering, Gachon University, Seongnam, Korea) ,  Dagenais Mario (Department of Electrical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 2  ページ： 676-683  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,14.7%の効率と40.2mA/cm~2短絡電流とCuInSe_2(CIS)薄膜太陽電池を提示した。試料は簡単なグラファイトボックス内の大気雰囲気中でのセレン蒸気の下で積層元素層のセレン化により作製した。いくつかの試料は堆積後処理(PDT)で処理したふっ化カリウム(KF)が,いくつかはそうではなかった,有用な比較を可能にした。KF PDTの使用は,試料についての二つの興味ある改善したCdS/CIS界面間の正孔ブロッキング層,トンネル再結合を減らし,開回路電圧を著しく増加させる,の生成。さらに,KF PDTは,低い順方向バイアスおよび逆方向バイアスでの非オーミックシャント漏れの対称性,空間電荷制限電流モデルで説明でき,金属-半導体-金属(MSM)シャントの指標になる可能性があるが減少した。加工段階時に導入された起こり得る欠陥とシャント経路の物理的起源と理由は,MSM型である可能性を理解するために提示した考察。CIS太陽電池の性能を改善するための新しい方向はこの非常に単純な作製技術を用いた将来の研究を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *セレン ,  硫化カドミウム ,  再結合 ,  空間電荷制限電流 ,  界面 ,  *短絡電流 ,  後処理 ,  正孔 ,  バイアス ,  フッ化カリウム ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  ブロッキング層 ,  薄膜太陽電池 ,  *短絡電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： KF ,  堆積 ,  段階 ,  セレン化 ,  プロセス ,  CIS ,  太陽電池 ,  短絡電流密度