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J-GLOBAL ID：201702261598407017   整理番号：17A1273402

ドレイン下での超接合の支援欠乏基板層構成を持った新規なLDMOS【Powered by NICT】

Novel LDMOS with assisted deplete-substrate layer consist of super junction under the drain

著者 (5件)： Yuan Song (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Duan Baoxing (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Cai Hai (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Cao Zhen (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Yang Yintang (Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 279-282  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい横方向二重拡散MOSFET(LDMOS)を本論文で初めてドレイン電極下で支援された欠乏基板層(ADSL)を提案した。導入された層は基板を支援できるので,横方向および垂直方向の電界分布の両方が改善された電場変調効果から生じるであろう,破壊特性は著しく改善された。結果は,提案したADSL LDMOSの降伏電圧(BV)は,同じ70μmドリフト領域長をもつ従来のLDMOSの464Vから812Vに増加することを示した。さらに,ADSL LDMOSと従来のLDMOSのための性能指数(FOM)は1.397MW/cm~2と0.645MW/cm~2であった。ADSL LDMOSは,従来のLDMOSよりはるかに優れた性能を持っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドリフト ,  *性能指数
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  電界分布 ,  *LDMOS ,  *超接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドレイン ,  支援 ,  欠乏 ,  LDMOS