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J-GLOBAL ID：201702261678952384   整理番号：17A0204198

siliconon絶縁体導波路回路上に集積した高応答性40Gbit/s InGaAs/InP PIN光検出器【Powered by NICT】

High-responsivity 40 Gbit/s InGaAs/InP PIN photodetectors integrated on siliconon- insulator waveguide circuits

著者 (6件)： Yin Dongdong (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  He Tingting (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Han Qin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Qianqian (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yejin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Xiaohong (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 11  ページ： 114006-1-114006-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジビニルテトラメチルジシロキサン-ベンゾシクロブテン(DVS BCB)接着剤ボンディング法を用いたシリコン導波路基板上に集積した高応答性と高速InGaAs/InP PIN光検出器を提案した。回折格子結合器を採用して,ファイバからの光を結合シリコン導波路にすることである。シリコンフォトニック導波路中の光を光検出器へエバネセント結合である。集積光検出器構造を最初に,FDTD(有限差分時間領域)溶液ソフトウェアを用いてシミュレーションし,シミュレーション結果は,95%の検出効率を示した。シミュレーション結果によると,集積光検出器を作製した。検出長が30μmの作製した集積光検出器の測定した応答性は0.89A/Wは3Vの逆バイアス電圧をもつファイバと回折格子結合器の間の結合損失と1550nmの波長でのシリコン伝搬損失を除く測定した3dB帯域幅は,光波コンポーネントアナライザ(LCA)を使用して27GHzであった。アイダイヤグラム信号試験結果は,光検出器は,40Gbit/sの高速で動作できることを示した。集積光検出器は光通信と高性能計算機のスーパーノードデータ伝送チップに適用できるシリコンベース光電子集積チップで非常に重要である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 帯域幅 ,  光電子 ,  有限差分時間領域法 ,  *導波路 ,  光通信 ,  高速度 ,  波長 ,  *応答特性 ,  検出効率 ,  *光検出器 ,  ケイ素 ,  *絶縁材料 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 結合損失 ,  バイアス電圧 ,  格子結合器 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 集積光検出器 ,  結合 ,  絶縁体上のシリコン ,  エバネセント波

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  導波路 ,  集積 ,  応答性 ,  InGaAs ,  InP ,  光検出器