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J-GLOBAL ID：201702261684946147   整理番号：17A1277772

インジウム及びガリウムカルコゲン化物二重層の電子構造のab initio研究

An ab initio study of the electronic structure of indium and gallium chalcogenide bilayers

著者 (4件)： Ayadi T. (Laboratoire de la Matiere Condensee et Nanosciences, Faculte des Sciences, Universite de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Debbichi L. (Graduate School of Energy, Environment, Water, and Sustainability (EEWS), Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea) ,  Said M. (Laboratoire de la Matiere Condensee et Nanosciences, Faculte des Sciences, Universite de Monastir, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Lebegue S. (Laboratoire de Cristallographie, Resonance Magnetique et Modelisations (CRM2, UMR CNRS 7036) Institut Jean Barriol, Universite de Lorraine, BP 239, Boulevard des Aiguillettes, 54506 Vandoeuvre-les-Nancy, France)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 147  号： 11  ページ： 114701-114701-7  発行年： 2017年09月21日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を用いて,著者らはインジウム及びガリウムカルコゲン化物の二次元二重層の構造及び電子特性を研究した。van der Waals相互作用に対する補正した密度汎関数理論を用いて,系統的に積層の異なるモードを調査し,そしてそれらのいくつかがエネルギーで競合することがわかった。次に,GW近似を用いてそれらのバンド構造を求め,そして積層のモードへのわずかな依存を持つ間接的バンドギャップ半導体に対応することがわかった。最後に,電子密度を解析することにより,GaSe-InSが電子-正孔分離に対する有望な系であるように思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子構造 ,  *結晶構造 ,  層状化合物 ,  密度汎関数法 ,  Green関数 ,  電子密度 ,  電子正孔対 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  多層 ,  カルコゲン化物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物
準シソーラス用語： GW近似 ,  二層

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： インジウム ,  ガリウム ,  カルコゲン化物 ,  重層 ,  電子構造 ,  研究