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J-GLOBAL ID：201702261730317738   整理番号：17A0447595

バナジルフタロシアニン薄膜における電荷輸送に及ぼす蒸着速度の影響【Powered by NICT】

Effect of deposition rate on the charge transport in Vanadyl-phthalocyanine thin films

著者 (4件)： Kiran M. Raveendra (Optoelectronics Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal, Mangalore, 575025, India) ,  Ulla Hidayath (Optoelectronics Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal, Mangalore, 575025, India) ,  Satyanarayan M.N. (Optoelectronics Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal, Mangalore, 575025, India) ,  Umesh G. (Optoelectronics Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal, Mangalore, 575025, India)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 224  ページ： 63-71  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正孔専用素子構成で異なる堆積速度(0.1年,1年,5Å/s)とバナジルフタロシアニン(VOPc)ベースのダイオードの作製を報告した:ITO/MoO_3/VOPc/MoO_3/Al。バナジルフタロシアニンに基づく素子のdc及びac電気伝導率を,インピーダンス分光測定を用いて調べた。伝導率の周波数依存性は電荷輸送のための支配的な機構はホッピング型であることを示した。さらに,温度とバイアス電圧に対する電気伝導率の依存性はホッピング機構は相関障壁ホッピング(CBH)モデルによって記述されることを明確に示した。デバイスにおけるMoO_3の薄層(3nm)は電気伝導率を高めることが分かった。J-V測定は電流密度Jと同様に電荷キャリア移動度は比較的低い蒸着速度(0.1Å/s)で作製したデバイスの方が高いことを示した。著者らの結果は,低い速度で蒸着したVOPC膜はオプトエレクトロニクスデバイス応用のためのより適切なことを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  周波数依存性 ,  キャリア移動度 ,  電気伝導率 ,  ホッピング伝導 ,  正孔 ,  インピーダンス ,  堆積速度 ,  *電荷
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  バイアス電圧 ,  伝導率 ,  *蒸着速度 ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： フタロシアニン ,  電荷輸送 ,  インピーダンス ,  電荷ホッピング ,  交流伝導率 ,  正孔移動度

分類 (2件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  電荷輸送 ,  蒸着速度