文献

J-GLOBAL ID：201702261735260334   整理番号：17A1556912

急速熱処理による非晶質SiC上の高品質グラフェン合成【Powered by NICT】

High-quality graphene synthesis on amorphous SiC through a rapid thermal treatment

著者 (6件)： Han Dong (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, PR China) ,  Wang Xu (Institute of Materials, China Academy of Engineering Physics, Jiangyou, 621908, PR China) ,  Zhao Yunbiao (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, PR China) ,  Chen Yi (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, PR China) ,  Tang Meixiong (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, PR China) ,  Zhao Ziqiang (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, School of Physics, Peking University, Beijing, 100871, PR China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 124  ページ： 105-110  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速熱処理(RTT)法による非晶質炭化けい素(a SiC)から触媒変換による高品質グラフェンの合成について報告した。SiO_2/Si基板はa SiC膜とそれに続く連続的に蒸着したCuとNi膜により被覆した。試料をわずか3分で高品質グラフェンの合成のためのRTTによる熱アニールした。Cu及びNi触媒の相乗効果が観察された。を挿入銅膜は,単層グラフェンの合成を容易にするためにグラフェン成長のための触媒または基板が,炭素拡散に対する障壁として作用することを予想し,一方ニッケル膜は他の触媒として作用し,Cu-Ni合金を形成する触媒温度を低下させる。本論文では,高品質グラフェンの調製が簡単で時間のかからない方法を提示し,グラフェンの成長のための簡単な理論的モデルを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 合金 ,  相乗作用 ,  *非晶質 ,  銅 ,  *RTA【熱処理】 ,  炭化ケイ素 ,  ニッケル ,  *グラフェン ,  炭素 ,  触媒
準シソーラス用語： 理論モデル ,  単層グラフェン ,  熱アニーリング ,  シリコンウエハ ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 急速熱処理 ,  高品質 ,  グラフェン