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J-GLOBAL ID：201702261736438463   整理番号：17A1285251

ペロブスカイト太陽電池に及ぼすPEGドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of PEG Doping on The Perovskite Solar Cells

著者 (5件)： Qi Jingqiang (北京交通大学光電子技術研究所 発光与光信息技術教育部重点実験室,北京,100044) ,  Deng Zhenbo (北京交通大学光電子技術研究所 発光与光信息技術教育部重点実験室,北京,100044) ,  Liu Menglin (北京交通大学光電子技術研究所 発光与光信息技術教育部重点実験室,北京,100044) ,  Wang Yue (北京交通大学光電子技術研究所 発光与光信息技術教育部重点実験室,北京,100044) ,  Zhu Lijie (北京交通大学光電子技術研究所 発光与光信息技術教育部重点実験室,北京,100044)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 4  ページ： 457-462  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ペロブスカイト太陽電池のエネルギー変換効率を向上させ、ヒステリシス現象を減少させるために、ポリエチレングリコール(PEG)ドープペロブスカイト太陽電池の陽極修飾層PEDOT:PSSのデバイス性能に対する影響を研究した。電気-電圧(C-V)試験によって,PEDOT:PSS層とペロブスカイト層の間の界面電荷蓄積を分析し,電流密度-時間(J-T)過渡光電流測定によって,修飾層とペロブスカイト層の間の欠陥状態を研究した。結果により、PEGドープ陽極修飾層がデバイスの短絡電流(Jsc)、開回路電圧(Voc)と充填因子(FF)を向上させ、光電変換効率を7.5%から10.0%に向上させ、光電変換効率を33%向上させ、ドーピング後のデバイスのヒステリシス現象が明らかに弱まったことが明らかになった。これらの結果は,PEGドープPEDOT:PSSにより,デバイスの界面における電荷蓄積と欠陥状態が減少し,デバイスのヒステリシスが減少し,デバイスのエネルギー変換効率が改善されることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *ドーピング ,  ヒステリシス ,  帯電 ,  *太陽電池 ,  短絡電流 ,  電流密度 ,  電圧 ,  電流測定 ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： 光電変換効率 ,  充填率 ,  開回路電圧 ,  PEDOT:PSS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： perovskite ,  doping ,  hysteresis ,  charge accumulation ,  polyethylene glycol (PEG)

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  PEG ,  ドーピング