文献

J-GLOBAL ID：201702261738573321   整理番号：17A1249183

閉じ込められたチャネルにおける制御された核形成密度をもったセンチメートル以下の単結晶グラフェンの同時高速成長【Powered by NICT】

Concurrent fast growth of sub-centimeter single-crystal graphene with controlled nucleation density in a confined channel

著者 (7件)： Wu Ruizhe (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China. [e-mail]) ,  Pan Jie ,  Ou Xuewu ,  Zhang Qicheng ,  Ding Yao ,  Sheng Ping ,  Luo Zhengtang
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 27  ページ： 9631-9640  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きなドメインサイズのグラフェンの合成は低核形成密度,成長速度の低下につながるを必要とする。大きなドメインサイズと高い成長速度の両方を達成するために,流れ動力学を調整することによって,同時に成長速度を制御するために付加的な触媒を導入することにより核形成密度を制御することが可能な簡単なチャネル構造を設計した。設計されたチャンネル構造は,グラフェンの成長における三つの役割を果たす(1)は,活性核形成サイトを不動態化するために酸素を保持している(2)CH_4の物質移動を制限する核形成の過飽和を制御するおよび(3)が,グラフェンの成長速度を高めるためにCH_4の分解のための付加的触媒サイトを提供する。この戦略は,平均成長速度70μm分~ 1,および5500cm~2V~ 1S~ 1の正孔移動度であり,実用化に十分な1時間でサブセンチメートルドメインサイズのグラフェンの成功した調製を可能にした。著者らの方法は,非常に効率的なレベルでの単結晶グラフェンまたは他の2D材料の大規模生産への道を開くものである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 物質移動 ,  *グラフェン ,  触媒 ,  *チャネル ,  過飽和 ,  *高速度 ,  不動態化 ,  *核形成 ,  酸素 ,  *単結晶 ,  成長速度
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  ドメインサイズ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： チャネル ,  核形成 ,  密度 ,  単結晶 ,  グラフェン ,  成長