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J-GLOBAL ID：201702261740550903   整理番号：17A1023917

透明Ag金属線パターンを用いたGaN系発光ダイオードの性能向上【Powered by NICT】

Performance Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes by Using Transparent Ag Metal Line Patterns

著者 (9件)： Hsu Chi-Shiang (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Chen Sheng-Yi (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Liou Jian-Kai (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Chen Wei-Cheng (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Chang Ching-Hong (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Chen Chun-Yen (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan) ,  Cheng Shiou-Ying (Department of Electronic Engineering, National Ilan University, Yilan City, Taiwan) ,  Guo Der-Feng (Department of Electronic Engineering, Chinese Air Force Academy, Kaohsiung, Taiwan) ,  Liu Wen-Chau (Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 6  ページ： 2542-2548  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次元ストライプ(B系列)と二次元格子(Aシリーズ)Ag金属線パターンを有するGaN系発光ダイオード(LED)の特性を包括的に調べて報告した。電流拡散強化能力のために,通常のLEDと比較して,調べたA B系列デバイスの有意な減少順方向電圧(>500 mV)は,20mAの順方向電流で得られた。特に,非常に低い電流係数接合温度T_j(~0.03°/mA)である従来のデバイス(0.61°/mA)に著しく優れている調べたA B系列デバイスが得られた。望ましくない熱効果は調べた素子ではほとんど影響されないことを意味している。実験では,Ag金属線からの光子の吸収効果に基づいて,一次元ストライプ設計(B系列)は2-D格子(Aシリーズ)よりも良好な光学的性質を示した。透明一次元Agパターンの適切な設計に基づいて,GaN系LEDの改善された性能,順方向電圧が小さく,より高い光出力,高い外部量子効率,高いウォールプラグ効率,と無視できる電流依存性(より広い電流動作領域)を同時に達成できた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光子 ,  一次元 ,  *金属線 ,  光学的性質 ,  熱影響 ,  *窒化ガリウム ,  電流 ,  *銀 ,  *発光ダイオード ,  電圧
準シソーラス用語： 電流依存性 ,  ウォールプラグ効率 ,  外部量子効率 ,  光出力 ,  接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ag ,  金属線 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  性能向上