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J-GLOBAL ID:201702261753278783   整理番号:17A1090590

スケーリングブースタを使ったiN7の低トラック高度標準セルの設計

Low Track Height Standard cell Design in iN7 using Scaling Boosters
著者 (15件):
資料名:
巻: 10148  ページ: 101480Y.1-101480Y.8  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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iN7技術の3つの主要な標準セルアーキテクチャ・オプション(7.5,6.5,6のトラック高度)の進化を記述し,論じた。標準セルの開発では,スケーリングブースタの役割も実証した。MINTとライン金属の中間中心,自己整合ゲート接触(SAGC),及び埋込み電源レールなどのスケーリング・ブースタを使用すると,iN7ノードの7.5トラック設計に対して最大45%の顕著な面積利得を持つセルライブラリを導いた。標準セルの3つのライブラリを電気的に特徴付け,全体的な分析によれば,6.5及び6トラックライブラリは4.5~5%遅いが,7.5Tライブラリに比べて約24.2%少ないリークを示した。
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分類 (1件):
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電子回路一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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