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J-GLOBAL ID：201702261806497258   整理番号：17A1273346

二重ゲートH iGTとSiC-SBDを用いた新しいハイブリッド電力モジュール【Powered by NICT】

A novel hybrid power module with dual side-gate HiGT and SiC-SBD

著者 (5件)： Takeuchi Y. (Research & Development Group, Hitachi, Ltd. Hitachi-shi, Ibaraki-ken, Japan) ,  Miyoshi T. (Research & Development Group, Hitachi, Ltd. Hitachi-shi, Ibaraki-ken, Japan) ,  Furukawa T. (Research & Development Group, Hitachi, Ltd. Hitachi-shi, Ibaraki-ken, Japan) ,  Shiraishi M. (Research & Development Group, Hitachi, Ltd. Hitachi-shi, Ibaraki-ken, Japan) ,  Mori M. (Research & Development Group, Hitachi, Ltd. Hitachi-shi, Ibaraki-ken, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 57-60  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二重サイドゲートH iGT(高伝導率IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とSiC-SBDの新しい組合せを用いた新しいハイブリッドパワーモジュールを提案した。この組み合わせは,43%のターンオフ損失で劇的なスイッチング損失低減, 71%のターンオン損失,トレンチゲートH iGTとU SFD(超ソフトおよび高速リカバリーダイオード)の通常の組合せに比べ, 98%の逆回復損失を達成した。結果として,提案したDuSHモジュール(二重サイドゲートH iGTハイブリッドモジュール)は 50%の極めて低いインバータ損失,SiC-MOSFETと類似していた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： IGBT ,  スイッチング ,  高速度 ,  *炭化ケイ素 ,  MOSFET ,  ターンオン ,  ターンオフ
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  損失低減 ,  伝導率 ,  サイドゲート ,  *パワーモジュール ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重ゲート ,  IGT ,  SiC ,  SBD ,  電力モジュール