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J-GLOBAL ID：201702261811338562   整理番号：17A0504445

Al/ZnS-PVA/p-Si(MPS)構造における周波数の関数としての電気的誘電的パラメータ依存性の決定

Determining electrical and dielectric parameters of dependence as function of frequencies in Al/ZnS-PVA/p-Si (MPS) structures

著者 (5件)： BARAZ Nalan (Duezce Univ., Duezce, TUR) ,  YUECEDAG Ibrahim (Duezce Univ., Duezce, TUR) ,  AZIZIAN-KALANDARAGH Yashar (Univ. Mohaghegh Ardabili, Ardabil, IRN) ,  AZIZIAN-KALANDARAGH Yashar (Sabalan Univ. Advanced Technol., Namin, IRN) ,  ALTINDAL Semsettin (Gazi Univ., Ankara, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1315-1321  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/ZnS-PVA/p-Si構造の電気的誘電的パラメータの周波数および電圧依存性を300Kで調べた。10kHz~5MHZの範囲でキャパシタンス/コンダクタンス-電圧(C/G-V)測定を行うと,電気的誘電的パラメータは周波数と電圧に強く依存し,特に直列抵抗(R_s),表面準位(N_ss),分極プロセスに影響される。R_sとN_ssは周波数増加でほとんど指数関数的に減少する。誘電率の実と虚部(ε’とε”),損失正接(tanδ),ac電気伝導度を印加電圧の関数としてのCとG/ωデータを使って求め,周波数の強い関数であることが判明した。これらパラメータの変化は低周波で,特に空乏蓄と積領域でより顕著である。結果として,ε’,ε”,tanδ,ac電気伝導度の変化は外部電界や界面分極の下でのZnS-PVA/p-Si界面における電荷の再構成と再整列の結果である。

シソーラス用語： *周波数依存性 ,  電圧依存性 ,  アルミニウム ,  *硫化亜鉛 ,  *ポリビニルアルコール ,  電気抵抗 ,  表面準位 ,  分極 ,  誘電率 ,  損失正接 ,  電気伝導率 ,  *パラメータ ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： アドミタンス ,  直列抵抗 ,  電気伝導度

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  MPS ,  関数 ,  パラメータ依存性