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J-GLOBAL ID:201702261844512374   整理番号:17A1359459

(Si)GeSnプラズモニクス【Powered by NICT】

(Si)GeSn plasmonics
著者 (5件):
資料名:
巻: 2017  号: SUM  ページ: 15-16  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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プラズモンナノ構造は,ナノスケールでの光-物質相互作用を促進するように働いた。グループIV素子と結合した金属ナノアンテナはスケールダウンデバイス[1]の効率を高めるためにまたはバイオセンシング統合[2]の概念を開発するために使用できる。しかし,近赤外および中赤外領域の波長での応用のための,金属はこれらの材料中に存在する高い電荷キャリア濃度の結果として高いDrude減衰に悩まされている[3]。これらの波長では,高度にドープした半導体は,プラズモンアンテナのための材料として金属より優れている可能性がある。Geと比較して,GeSnは低い伝導率有効質量を持ち,従って,プラズモン応用のための波長範囲を5~10μm領域[4]に用いることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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固体プラズマ 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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