抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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外部フォトダイオード(PD)のための統合受信機チップは3.3V電源電圧で0.6μm BiCMOS技術を提示した。内部自動利得制御(A GC),周波数特性を補償する同時に内部電荷ポンプ,任意外部PDに5V,データを受けるかどうかを示すために検出器を供給するとLVDS(低電圧差動シグナリング)論理標準のための50Ω差動出力ドライバから構成されている。チップはPDを行わないと同様に市販のPIN PD S5973(浜松)とPS0.25 5SMD(シリコンセンサ国際AG)を持つ電気的に試験した。消費電力は113mWに達し,3.2Gbit/sの最大データ速度は,電気的に測定した,21μA平均入力電流の電流感度(BER=10E 9)を達成した。1.25Gbpsで4.1μAの電流感度を測定した。受信機に結合した外部PDを用いた光感度はPS0.25 5SMDのための入力でS5973と 20.3dBm(1Gb/s, λ=850nm)平均光パワー 14.7dBm(1.25Gb/s, λ=780nm)であった。これらの結果から受信機チップはプラスチック光ファイバ(POF)受信機,光LAN,データ通信受信機のためのまたは光無線通信(OWC)受信機のための低コスト代替法であるかもしれない。より高い感度を達成するために外部アバランシェフォトダイオード(APD)はPIN PDの代わりに受信機チップに容易に接続することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】