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J-GLOBAL ID：201702261928832557   整理番号：17A1236325

単分子層二硫化モリブデンおよびAuナノクラスタ間の界面相互作用のプロービング【Powered by NICT】

Probing the interfacial interaction between monolayer molybdenum disulfide and Au nanoclusters

著者 (6件)： Wang Fei (School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan Province, 410083, China) ,  Wang Fei (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan Province, 410073, China) ,  Xu Hui (School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan Province, 410083, China) ,  Fang Jingyue (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan Province, 410073, China) ,  Wang Guang (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan Province, 410073, China) ,  Zhang Xueao (College of Science, National University of Defense Technology, Changsha, Hunan Province, 410073, China)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 49  号： 9  ページ： 858-863  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料上のプラズモン金属ナノ構造の結合はそれらのオプトエレクトロニックデバイス性能を改善するための一つの有望な方法である。本論文では,Auナノクラスタと単分子層二硫化モリブデン(MoS_2)間の界面相互作用とMoS_2の電気輸送と光学的性質に対するAu修飾の影響を検討した,in situ MoS_2電界効果トランジスタデバイス評価とその場紫外光電子分光法とX線光電子分光法測定を組み合わせて調べた。その場X線光電子分光/紫外線光電子分光法実験は,Auナノクラスタと単分子層MoS_2間の弱い界面結合を明らかにした。AuナノクラスタとMoS_2間の強い電荷移動が存在しないことは,さらに光ルミネセンスおよびRaman測定により確認した。もまた単分子層MoS_2における電子電荷キャリア濃度は弱いAuナノクラスタの被覆率に依存することが分かった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エレクトロトランスポート ,  *ナノクラスタ ,  X線光電子分光法 ,  プラズモン ,  *単分子層 ,  光学的性質 ,  *界面 ,  被覆率 ,  FET【トランジスタ】 ,  電荷移動 ,  *金 ,  X線光電子スペクトル ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  *界面相互作用 ,  *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoS2 ,  界面 ,  Au ,  UPS/XPS ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単分子層 ,  硫化モリブデン ,  Au ,  ナノクラスタ ,  界面相互作用