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J-GLOBAL ID：201702261935946591   整理番号：17A1639073

電子構造とEuをドープしたホスホレンの磁気的性質の第一原理研究【Powered by NICT】

First-principles study on electronic structures and magnetic properties of Eu-doped phosphorene

著者 (6件)： Luan Zhaohui (College of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China) ,  Zhao Lei (College of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China) ,  Chang Hao (College of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China) ,  Sun Dan (College of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China) ,  Tan Changlong (College of Applied Science, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China) ,  Huang Yuewu (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 816-823  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピング濃度が異なるEuドープホスホレンの構造的,電子的および磁気的性質を初めて第一原理計算によって研究した。計算はEuドープホスホレン系は安定であり,at.%ドーピング濃度2.7年,6.25年,12.5年までに6以上μ_Bの大きな磁気モーメントを持つことを示した。磁気モーメントへの主要な寄与はEuドープ原子の4f状態に由来する。一方,Euドープ原子は,異なるドーピング濃度により変化できる不純物バンドを紹介した。磁気相互作用を決定するために,3×3×1ホスホレンスーパーセルにおけるドーピング二Eu原子の異なる構成を研究し,配位の全てが強磁性を形成する傾向があることを明らかにした。これらの結果は,二次元ホスホレンの大きな磁性,スピントロニクス素子と新しい半導体材料への応用のための価値を誘導するための参照を提供することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  磁性 ,  *磁気的性質 ,  半導体材料 ,  *ユウロピウム ,  *第一原理 ,  磁気モーメント ,  *電子構造 ,  強磁性 ,  二次元
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  磁気相互作用 ,  不純物バンド ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Euドープホスホレン ,  電子構造 ,  磁気的性質 ,  第一原理計算

分類 (5件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子構造 ,  Eu ,  ドープ ,  ホスホレン ,  磁気的性質 ,  第一原理 ,  研究