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J-GLOBAL ID：201702261952134631   整理番号：17A0996008

2の強磁性電極を用いたThue-Morse二層グラフェン超格子におけるスピン輸送とトンネル磁気抵抗【Powered by NICT】

Spin transport and tunneling magnetoresistance in Thue-Morse bilayer graphene superlattice with two ferromagnetic electrodes

著者 (5件)： Li Yuanqiao (College of Sciences, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China) ,  Li Yuanqiao (Department of Physics and Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China) ,  Zhang Hongmei (School of Sciences, Hebei University of Science and Technology, Shijiazhuang 050018, China) ,  Zhou Tao (College of Sciences, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, China) ,  Liu De (Department of Physics and Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 516  ページ： 18-26  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 均一電場下での第四世代のThue-Morse二層グラフェン超格子(TMBGS)または対応する周期的二層グラフェン超格子(PBGS)により分離された二つの強磁性二層グラフェン(FBG)電極から成る磁気接合のスピン分極輸送特性を調べた。FBG/TMBGS/FBG接合のスピンコンダクタンス,スピン分極,トンネル磁気抵抗(TMR)を計算し,比較FBG/PBGS/FBG接合のものとした。スピンコンダクタンスは二FBG電極の磁化だけでなく,交換分裂エネルギーによっても大きく変化できることを見出した。低エネルギー範囲では,スピン分極とTMRは,Fermiエネルギーの増大とともに劇的な振動を示した。高エネルギー範囲では,スピン分極とTMRはFermiエネルギーが増加すると零になる傾向がある。さらに,FBG/PBGS/FBG接合と比較して,FBG/TMBGS/FBG接合では,TMRの相対的に大きな値はバイアス電圧が増加するとより容易に得ることができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気 ,  Fermi準位 ,  *超格子 ,  電場 ,  スピン分極 ,  *強磁性
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  高エネルギー ,  低エネルギー ,  スピン分極輸送 ,  *トンネル磁気抵抗 ,  *スピン輸送 ,  *二層グラフェン ,  *強磁性電極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二層グラフェン超格子 ,  スピン偏極輸送 ,  強磁性二層グラフェン ,  トンネル磁気抵抗

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強磁性電極 ,  二層グラフェン ,  超格子 ,  スピン輸送 ,  トンネル磁気抵抗