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J-GLOBAL ID:201702262046458238   整理番号:17A0696872

ピロール窒素ドープ炭素ナノ構造におけるポルフィリン様モチーフ上に吸着した遷移金属の第一原理研究【Powered by NICT】

First-principles study of transition metal adsorbed on porphyrin-like motifs in pyrrolic nitrogen-doped carbon nanostructures
著者 (4件):
資料名:
巻: 116  ページ: 381-390  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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カーボンナノチューブとグラフェンの格子中にポルフィリン様モチーフに行った第一原理密度汎関数理論計算。ポルフィリン様モチーフは半導性(100)単層カーボンナノチューブ(SWCNT)とグラフェン中の二連続炭素結合に2回Stone-Thrower-Wales(STW)変換を適用することによって生成された,四五角形,二六角形,及び二七角形で囲まれた八角形を含むポルフィリン様モチーフをもたらした。各五角形の1つの炭素原子は窒素(N ピロール酸 ドピング)で置換されると,モチーフはポルフィリン分子(DSTW N4ポルフィリン様モチーフ)の骨格を模倣した。遷移金属(TM)(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,及びZn)は二重Stone-Thrower-Wales(DSTW)-N4ポルフィリンモチーフに組み込まれている。状態,結合エネルギー,形成エネルギー,波動関数のバンド構造,電子密度を計算した。結合及び形成エネルギー計算は,提案したTM DSTW N4欠陥は安定であり,他のタイプの欠陥とエネルギー的に競合することを示した。計算システムは,スピン依存半導体バンドギャップと半金属性を示した。TM原子はN ピロール酸をドープした.~2炭素材料によって吸着されるかについての洞察を提供した。~2炭素材料における窒素doping(ピリジン,置換,およびピロール)と構造欠陥のタイプ間の相互作用は,電子的,磁気的および触媒特性を調整するために重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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