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J-GLOBAL ID：201702262068722179   整理番号：17A1651346

1.4GHz,27dB MEMS SAW共振器のための設計とシミュレーションの単段CMOS TIA【Powered by NICT】

Design and simulation single stage CMOS TIA for 1.4 GHz,-27 dB MEMS SAW resonator

著者 (2件)： Kamarudin Norlizawati Binti (Faculty of Electrical Engineering, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor) ,  Karim Jamilah (Faculty of Electrical Engineering Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RSM  ページ： 163-166  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,MEMS SAW共振器のための低電力トランスインピーダンス増幅器(TIA)の設計とシミュレーションを提示した。増幅器は大きな共振器損失を補償するために低電力を消費するべきである。設計は,0.18μmのSilterra CMOSプロセスを用いて実現した。設計した増幅器は周波数1.4GHzで26.69dBΩ利得を生成し,電源電圧,V_DD1.8Vで2.6mWの電力を消費するMEMS SAW共振器と一体化させた場合は,システムは周波数カットオフ125.3dB/Hz@1kHzを作成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  *MEMS ,  周波数 ,  *CMOS ,  電力 ,  *共振器 ,  増幅器
準シソーラス用語： カットオフ ,  電源電圧 ,  トランスインピーダンス増幅器 ,  低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： MEMS ,  SAW共振器 ,  設計 ,  シミュレーション ,  CMOS ,  TIA