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J-GLOBAL ID：201702262103510455   整理番号：17A1029179

ミリ波集積回路のための基板切断マイクロストリップ線路による誘電体イメージ線路への広帯域平面遷移【Powered by NICT】

Broadband Planar Transition to Dielectric Image Line by Substrate Truncated Microstrip Line for Millimeter-Wave Circuit Integration

著者 (2件)： Prasad Chandra Shekhar (Department of Electrical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, India) ,  Biswas Animesh (Department of Electrical Engineering, IIT Kanpur, Kanpur, India)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 6  ページ： 533-535  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,単一基板上の広帯域平面基板先端切断テーパ付きマイクロストリップ線路と誘電体イメージ線路遷移を提案した。設計は厚いマイクロストリップ線路上の表面波発生による損失を最小にすることを助ける基板切断されたマイクロストリップ線を使用している。遷移設計を提案し,ミリ波周波数帯における異なる誘電定数のための検証した一般化された経験的方程式。全波シミュレーションを,高周波構造シミュレータを用いて行った。Ku帯の連続転移プロトタイプを作製し,測定した。,80mm長構造で測定したリターン損失は 10dBより良好であり,挿入損失は全Kuバンド(40%インピーダンス帯域幅)で 2.5dBよりも良好であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 実験式 ,  *画像 ,  *EHF波 ,  シミュレーション ,  *広帯域 ,  周波数帯 ,  *マイクロストリップ線路 ,  挿入損 ,  誘電率 ,  *誘電体 ,  シミュレータ ,  表面波
準シソーラス用語： インピーダンス帯域幅 ,  Kuバンド ,  *ミリ波集積回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 伝送線  (NC04030C)

タイトルに関連する用語 (7件)： ミリ波集積回路 ,  マイクロストリップ線路 ,  誘電体 ,  イメージ ,  線路 ,  広帯域 ,  遷移