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J-GLOBAL ID：201702262109209520   整理番号：17A0650080

YBCO薄膜中の3方向に分散した円柱型欠陥による,高い磁束ピン止め効率

High flux pinning efficiency by columnar defects dispersed in three directions in YBCO thin films

著者 (6件)： SUEYOSHI Tetsuro (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  NISHIMURA Takahiro (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  FUJIYOSHI Takanori (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  MITSUGI Fumiaki (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  IKEGAMI Tomoaki (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  ISHIKAWA Norito (Japan Atomic Energy Agency (JAEA), Ibaraki, JPN)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 29  号： 10  ページ： 105006,1-7  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： REBCO被覆導体は市販され応用は活発に進展しているが,臨界電流密度(Jc)の異方性の改善は重要な課題のひとつである。本研究では,YBa₂Cu₃O_y薄膜における,重イオン照射(200MeV,Xe)により形成した,広範な方向に分散した円柱型欠陥(CD)による磁束ピン止めについて系統的に調査した。CDの分布は,通電方向に垂直でc軸と0°,±45°で交差する三峰型分布(Trimodal-A)と,通電方向に平行でc軸と0°,±45°で交差する三峰型分布(Trimodal-B)とした。三峰型分布は,分散したCDのJc角度依存性に対する追加効果の調査に適していて,広範に分布した1次元ピン止め中心(1D-PC)のピン止めメカニズムの全体像を明らかにできる。

シソーラス用語： *YBCO薄膜 ,  *磁束ピン止め ,  *効率 ,  *欠陥 ,  *円柱 ,  *空間分布 ,  分散【dispersion】 ,  角度依存性 ,  *柱 ,  *構造要素
準シソーラス用語： 高効率

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： YBCO薄膜 ,  3方向 ,  円柱 ,  欠陥 ,  磁束ピン止め