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J-GLOBAL ID：201702262127021635   整理番号：17A0651178

ナノインプリント最前線 半導体製造用ナノインプリントリソグラフィ技術の概要と展望

著者 (2件)： 東木達彦 (東芝メモリ メモリ技研 プロセス技術研究開発セ) ,  東木達彦 (ニューフレアテクノロジー)
資料名： 機能材料  (Function & Materials)
巻： 37  号： 6  ページ： 40-47  発行年： 2017年06月05日 
JST資料番号： Y0021A  ISSN： 0286-4835  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体リソグラフィでは微細化技術の難易度に伴うコスト高騰により,半導体デバイスの微細化=低コスト化という関係が破綻している。本報告ではテンプレートにパターン形成されたデバイスパターンを直接ウエハに転写して低コストパターニングを実現するナノインプリントリソグラフィの量産展開に向けた最新の進捗と今後の展望に関して報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *半導体プロセス ,  *パターン形成 ,  ウエハ【IC】 ,  原価低減 ,  *パターン転写 ,  半導体集積回路 ,  大量生産 ,  *フォトリソグラフィー ,  フォトレジスト ,  アラインメント ,  He-Neレーザ
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  量産

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノインプリント ,  半導体製造 ,  ナノインプリントリソグラフィ ,  概要 ,  展望