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J-GLOBAL ID：201702262135135033   整理番号：17A1713507

MnをドープしたGaN極性および非極性表面の計算機による研究【Powered by NICT】

Computational study of Mn-doped GaN polar and non-polar surfaces

著者 (5件)： Martinez-Castro O. (Departamento de Ciencias Naturales and Exactas, Universidad de la Costa, Barranquilla, Colombia) ,  Martinez-Castro O. (Grupo de Investigacion en Fisica Aplicada, Departamento de Fisica, Universidad del Norte, Barranquilla, Colombia) ,  Gonzalez-Garcia A. (Grupo de Investigacion en Fisica Aplicada, Departamento de Fisica, Universidad del Norte, Barranquilla, Colombia) ,  Lopez-Perez W. (Grupo de Investigacion en Fisica Aplicada, Departamento de Fisica, Universidad del Norte, Barranquilla, Colombia) ,  Gonzalez-Hernandez R. (Grupo de Investigacion en Fisica Aplicada, Departamento de Fisica, Universidad del Norte, Barranquilla, Colombia)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 141  ページ： 68-74  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mnをドープした極性GaN(0001)及び非極性GaN(101 0)とGaN(112 0)表面の磁気的,電子的および構造的性質を研究し,この材料の薄膜の成長を微細化の目的にために行った第一原理計算。結果は表面は約4.0μ_β/Mn原子の磁化を示し,最近報告された理論および実験結果と一致することを示した。表面形成エネルギーの計算は,Mn原子はGaNの上部表面層(第一及び第二)に取り込まれ,非極性表面におけるよりもエネルギー的に好まれる極性表面におけるMn_Ga取込であることを示した。添加では,Mn不純物の間の磁気結合は,表面方位,磁気ナノデバイスの設計に有用であることに依存することが観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  磁気 ,  不純物 ,  *極性 ,  *ドーピング ,  *非極性 ,  計算 ,  精密化 ,  第一原理 ,  構造特性 ,  *マンガン
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  磁気結合 ,  形成エネルギー ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理 ,  表面磁性 ,  磁性材料 ,  GaN表面 ,  MnドープGaN

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Mn ,  ドープ ,  GaN ,  極性 ,  非極性 ,  計算機 ,  研究