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J-GLOBAL ID：201702262136084391   整理番号：17A1546319

イオン注入した単結晶のナノ機械的研究課題,可能性とナノインデンテーションに関連した落とし穴トラップ【Powered by NICT】

Nanomechanical investigation of ion implanted single crystals - Challenges, possibilities and pitfall traps related to nanoindentation

著者 (1件)： Kurpaska Lukasz (National Center for Nuclear Research, St. A. Soltana 7/23, Otwock-Swierk, Poland)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 409  ページ： 171-174  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノインデンテーション技術は過去三十年にわたりかなり開発した。今日では,商業的に利用可能なシステムは,マイクロスケール,環境雑音消去(または少なくとも雑音抑制),制御された雰囲気と真空条件におけるその場高温押込みをナノ及びの非常に正確な測定を提供し,異なる追加オプション,そのうち専用押込は最も一般的な方法の一つである。高精度,及び非常に小さい深さ(十nm)から機械的性質を測定する能力のために,この技術は核社会における非常に一般的になった。イオン注入(ある程度)は中性子束の影響をシミュレートできることが知られている。しかし,材料損傷の深さは,未改質バルク上の修飾材料の薄層の生成をもたらす非常に限られている。,非常に正確な方法を,測定の深さを制御する可能性を提供する材料の機能的性質を研究するために用いることができる。この理由のため,ナノインデンテーション法はイオン注入試料の機械的性質を研究するための完全なツールであると思われる。しかし正確なナノ機械的実験を行い,貴重な機械的パラメータを抽出することは簡単な作業ではない。本論文ではイオン照射されたYSZ単結晶について行ったナノ押込試験についての議論を提示した。本論文の目的は,このような材料と薄膜の機械的性質を研究するとき,可能なトラップを議論することである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン照射 ,  中性子束 ,  *ナノインデンテーション ,  高温 ,  *イオン注入 ,  材料被害 ,  *単結晶 ,  薄膜 ,  雑音発生防止 ,  機械的性質
準シソーラス用語： 高精度 ,  マイクロスケール ,  *ナノマシン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ナノインデンテーション ,  イオン照射 ,  YSZ単結晶

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  単結晶 ,  ナノ機械 ,  研究 ,  可能性 ,  ナノインデンテーション