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J-GLOBAL ID：201702262137148623   整理番号：17A1804325

半導体分野の最新動向 パワー半導体の可能性と市場展望

著者 (1件)： 池山智也 (矢野経済研)
資料名： クリーンテクノロジー  (Clean Technology)
巻： 27  号： 12  ページ： 15-19  発行年： 2017年12月10日 
JST資料番号： L1138A  ISSN： 0917-1819  CODEN： KTEKER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・現在市場の中心となっているSi(シリコン)パワー半導体は,低耐圧から高耐圧までカバーし,最も高耐圧のもので6.5kVが製品化されている。また,耐圧によって使われるトランジスタの種類が異なり,耐圧600V以下は,MOSFET,600Vを超えるものについては,IGBTが中心である。
・特に搭載用途が多い1,200V以上のパワーモジュールは,HV/EV,太陽光発電/風力発電PCS,産業機器,UPS,電鉄などで使われている。
・今後の市場拡大が期待されているSiC,GaNパワー半導体は,SiCが耐圧600Vを超える高耐圧・大電流領域,GaNが耐圧600V以下の中低圧領域で,両デバイス共に高速スイッチングが求められる用途での搭載が期待されている。

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  *市場 ,  *予測 ,  パワーエレクトロニクス ,  ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  耐圧性 ,  MOSFET ,  IGBT ,  回路モジュール ,  スイッチング
準シソーラス用語： パワー半導体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  生産に関する一般問題  (NA01060I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 最新動向 ,  パワー半導体 ,  可能性 ,  市場 ,  展望