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J-GLOBAL ID：201702262196466562   整理番号：17A1249189

1Dグラフェン螺旋における機械的に誘起されたオプトエレクトロニクスおよびスピントロニクス相転移の機構:層間結合の役割への洞察【Powered by NICT】

Mechanism of mechanically induced optoelectronic and spintronic phase transitions in 1D graphene spirals: insight into the role of interlayer coupling

著者 (8件)： Xu Xiaodong (Department of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150001, P. R. China. [e-mail]) ,  Liu Bingyi ,  Zhao Wenyu ,  Jiang Yongyuan ,  Liu Linhua ,  Li Weiqi ,  Zhang Guiling ,  Tian Wei Quan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 27  ページ： 9693-9700  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Riemann面をもつ新しい炭酸ナノ材料,グラフェン螺旋(GS)は異常なトポロジー電子署名:螺旋立体配座内のvan der Waals(vdW)ヘテロ接合と層内結合に同様な層間結合を実証した。最新の第一原理法に基づいて,形状変形と周辺修飾GSの電子特性は,軸方向歪下で調べた。すべてGSでは,金属から半導体への顕著な相転移が出現し,中間層」σ結合」キャリアの層間トンネリング確率を低減することの減衰によるものであった。グラフェンに類似して,GSは炭酸.~2ハイブリダイゼーションを二分副格子から構成されている。二部副格子のバランスが失われると,強い端部(隅角部)状態,p_z軌道寄与を出現するであろう。単離したグラフェンナノフレークとは対照的に,GSは,1D形状を持つ連続的なスピン分極エッジ(コーナー)状態結合を実現した。しかし,スピントロニクス転移が起こるようにスピン分極は,ロバストな中間層」σ結合」により遮断されるこの層間結合が壊れた。より興味深いことに,間接-直接バンドギャップ遷移が観察され,優れた光学オン-オフ特徴を明らかにした。それらの調整可能な性質は,オプトエレクトロニクス,スピントロニクスおよび化学的あるいは生物学的センサへの応用のための大きな可能性を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 立体配座 ,  *相転移 ,  *グラフェン ,  トンネル効果 ,  ヘテロ接合 ,  半導体 ,  位相幾何学 ,  *オプトエレクトロニクス ,  副格子 ,  第一原理 ,  *スピントロニクス ,  スピン分極
準シソーラス用語： σ結合 ,  中間層 ,  *層間結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (10件)： 1D ,  グラフェン ,  螺旋 ,  誘起 ,  オプトエレクトロニクス ,  スピントロニクス ,  相転移 ,  層間結合 ,  役割 ,  洞察