文献

J-GLOBAL ID：201702262238343275   整理番号：17A1537634

カチオン無秩序性によるバンドギャップ工学:AgBiS₂に関する事例研究【Powered by NICT】

Bandgap engineering by cationic disorder: case study on AgBiS₂

著者 (3件)： Vines Francesc (Departament de Ciencia de Materials i Quimica Fisica & Institut de Quimica Teorica i Computacional (IQTCUB), Universitat de Barcelona, C/Marti i Franques 1, 08028 Barcelona, Spain. [e-mail]) ,  Konstantatos Gerasimos ,  Illas Francesc
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 41  ページ： 27940-27944  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ,AgBiS₂材料を実例とする,三元化合物の電子構造に及ぼす陽イオン無秩序の影響は,正確な第一原理周期的密度汎関数理論に基づく計算によって研究した。AgBiS₂に対して半導体matilditeから金属配置結晶構造への陽イオン不規則性はバンドギャップの有意な減少を誘導することを見出し,matilditeバンドギャップに侵入するカチオン無秩序伝導バンドテイル状態の結果である。適切に整列した伝導帯最小値と価電子帯最大値はカチオン性障害は前者の顕著な低下と後者のわずかな増加をもたらすことを示した。本結果は,カチオン性障害を誘発する温度の影響は金属極限に到達しないことを提供AgBiS₂試料の光活性に及ぼす有益な効果を持つであろうことを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： カチオン ,  状態 ,  *無秩序系 ,  *バンドギャップ ,  *銀化合物 ,  ビスマス化合物 ,  硫化物 ,  電子構造 ,  密度汎関数法 ,  伝導バンド ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 価電子帯 ,  伝導帯 ,  密度汎関数理論 ,  無秩序性

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： カチオン ,  無秩序性 ,  バンドギャップ ,  工学 ,  研究