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J-GLOBAL ID：201702262251281352   整理番号：17A1732781

集積非線形光学のためのガリウム酸化物基板上の窒化ガリウム【Powered by NICT】

Gallium nitride on gallium oxide substrate for integrated nonlinear optics

著者 (4件)： Awan Kashif M. (School of Electrical Engineering and Computer Science, University of Ottawa, Ottawa, Canada) ,  Dolgaleva Ksenia (School of Electrical Engineering and Computer Science, University of Ottawa, Ottawa, Canada) ,  Muhammed Mufasila M. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia) ,  Roqan Iman S. (Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PN  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広いバンドギャップと高い熱安定性を有する直接バンドギャップ半導体であり,窒化ガリウム(GaN)は,オプトエレクトロニクスと電子応用のための魅力的である。さらに,その高い光学非線形性のすべてIII-V半導体の特性 に起因するGaNも多くapphcationsの量子計算に対するオンチップ波長変換の範囲のための集積非線形フォトニック回路に適した候補であると期待されている。GaNデバイスは商業生産であるが,適切な基板材料の不足に悩まされている貫通転位(TD),積層欠陥,および結晶粒界の高い密度のような構造欠陥を低減した。これらの欠陥はエピ成長させたGaN層の光学的品質を低下させる湛,無放射再結合中心として作用するからである。最近の研究は,サファイア(Al_2O_3)[1 3]上に成長させたGaNと比較して( 201)β-ガリウム酸化物(Ga_2O_3)上に成長したGaNは良好な格子整合による優れた光学品質を持つことを示した。本研究では,効率的な四波長混合(FWM)に対するfeasibihtyを評価するためGaiOj基板とその光学特性評価上のGaN導波路の作製について報告する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  格子整合 ,  熱安定性 ,  *非線形光学 ,  導波路 ,  貫通転位 ,  結晶粒界 ,  *窒化ガリウム ,  サファイア ,  積層欠陥 ,  波長 ,  バンドギャップ ,  *酸化物 ,  半導体 ,  品質

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積 ,  非線形光学 ,  ガリウム酸化物 ,  窒化ガリウム