文献

J-GLOBAL ID：201702262293081338   整理番号：17A1445716

高k混合スタックにおける静電容量測定の周波数分散の外因性起源の評価【Powered by NICT】

Evaluating extrinsic origin of frequency dispersion of measured capacitance in high-k mixed stacks

著者 (1件)： Stojanovska-Georgievska Lihnida (Institute of Mathematics and Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technologies, University “St Cyril and Methodius”, Rugjer Boskovic 18, PO Box 574, 1000, Skopje, Macedonia)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201700215  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k誘電体の固有現象としてしばしば観測されれば電気特性の周波数分散FD。,誘電定数の固有特性としてのにもかかわらず,FDの評価は外因性起源からの影響,界面層の効果と直列抵抗などを考慮すべきである。本論文では,高k Ta_2O_5 HfO_2混合スタックを含むMOSキャパシタの測定した静電容量とコンダクタンスのFDは主要な外因性原因の観点から解析した。は直列抵抗と界面状態の効果の補正のためのいくつかの方法がある。FDの筆者らの評価は四素子回路モデルに基づいて,両外因性効果に対する補正を行った。10~12eV~ 1cm~ 2のためのD_ITの値は標準コンダクタンス法と高-低静電容量法の両方,を比較したを用いて抽出した。モデルは最終的にC-fの解析的表現にまとめ,試験した構造の基本パラメータの決定を可能にした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面準位 ,  電気特性 ,  回路モデル ,  誘電率 ,  *静電容量 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 解析表現 ,  MOSコンデンサ ,  直列抵抗 ,  界面層 ,  高k誘電体 ,  *周波数分散 ,  *キャパシタンス測定 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 容量-電圧測定 ,  周波数分散 ,  高k誘電体 ,  界面状態

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： スタック ,  静電容量測定 ,  周波数分散 ,  起源 ,  評価