抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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300°C以上での高出力と高接合温度での優れた特性のため,パワーエレクトロニクスのための非常に魅力的になったワイドバンドギャップ半導体しかし,錫ベース半田またはすず-鉛はんだのような従来包装材料の最大動作温度は約220°Cに限定されているこのように,より高い融解温度を持つ新しい包装材料を開発する必要がある。焼結銀ペーストダイ付着はその優れた電気的接続と熱散逸能力と低い処理温度と高い動作温度700°Cまでの高温度と高電力応用のための最も有望な相互接続技術の一つとして考えられてきたそれにもかかわらず,空気中で200°C以上の温度での時効時にいくつかの重要な問題は,この技術に存在し,例えば高気孔率,界面と厳しい酸化問題貧弱な濡れ性。この有望な技術は実用化へのステップ前にこれらの深刻な問題は無視できない。著者らの研究は,焼結ナノ銀焼結重ね剪断接合へのインジウムを導入することにより,焼結ナノ銀ダイ接着のこれらの問題を解決することを目的とした。本研究では,ナノ銀ペーストに及ぼすインジウム箔のスライス,すでに基板上にある厚さとステンシル印刷をした。インジウム箔は結合過程の初期で溶融し始めるであろうと銀ナノ粒子間の細孔に浸透したと記入した。インジウムは銀と迅速に反応し,全関節を形質転換した銀-インジウム金属間化合物,600°C以上の高融点を持つ,はるかに低い多孔性継手を作製し,焼結継手と基板との間の濡れ性も良くなった,これは界面で良好な結合を示した。純焼結ナノ銀焼結重ね剪断接合と銀インジウム関節間の高温信頼性を比較するために,空気中,300°Cでの高温貯蔵試験を行った。結果は,空気中で100時間300°Cでの熱エージング後に,純粋な銀継手のせん断強さは銅基板の酸化のために劇的に減少することを示した。とは対照的に,酸化銅は,銀-インジウム接合部内で観察することができず,接合のままのものより2倍高いせん断強度を示した。,インジウムを導入することにより焼結された接合部の高温信頼性を大幅に改善できることを示唆した。さらに,銀-インジウム接合も空気中で1000時間300°Cでの高温貯蔵試験に合格し,他の研究者による変色防止特性を有していることが証明された。要約すると,著者らは簡単な方法と成功裏に焼結銀ペーストダイ接着技術のいくつかの深刻な問題を克服し,この技術は高温及び高出力の適用のための実用化に非常に近いもたらすことができる理想的な包装材料を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
