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J-GLOBAL ID：201702262365791443   整理番号：17A0999490

FTO基板上のZスキームCdS/CdOナノロッドの形成:フラットバンド電位に対するシェル厚さの影響【Powered by NICT】

The formation of Z-scheme CdS/CdO nanorods on FTO substrates: The shell thickness effects on the flat band potentials

著者 (2件)： Cho Ki-Hyun (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea) ,  Sung Yun-Mo (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 36  ページ： 176-185  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS/CdOコア/シェルナノロッド光電気化学電極を調製し,n型/n型Zバンド構造の作用機構は,シェル厚さの変化に基づいて提案した。温和な溶液化学は低コスト導電性ガラス基板上のCdSナノロッドの垂直成長を可能にした。CdSナノロッド表面上に被覆したCd(NO_3)24H_2Oの熱分解は,CdS/CdOコア/シェルナノロッド電極を導入することに成功した。CdSナノロッドにCdOシェルの形成はn型/n型Zバンド構造により改善された光電気化学性能を示した。Mott Schottkyと開回路電位分析から,フラットバンド電位の変化をモニターしCdOシェル厚さに関するn型/n型Zスキームナノロッド電極の光起電力の変化を理解した。空間電荷領域幅に等しいか,それより小さいシェル厚みを持つコア/シェルナノロッド電極は他のものより高い光起電力を示した。これは,電子輸送は境界によって妨害されるバルク領域の不在からの効果的な電荷分離の結果できた。最後に,CdS/CdO電極の最適CdOシェルの厚さは約2nmであると決定し,それらの対応する光電流密度は約4.35mA~2,裸のCdSナノロッド電極のそれと比較して約22%増加した値であると測定された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電気化学 ,  *硫化カドミウム ,  電極電位 ,  電荷分離 ,  *ナノロッド ,  光起電力 ,  バンド構造 ,  電流密度 ,  熱分解 ,  電位 ,  空間電荷
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  導電性ガラス ,  電気化学電極 ,  *フラットバンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素 ,  Z枠組み ,  コア/殻ナノロッド ,  PECセル ,  水分裂

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： FTO ,  スキーム ,  CdS ,  CdO ,  ナノロッド ,  フラットバンド ,  電位 ,  シェル ,  厚さ