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J-GLOBAL ID：201702262391802033   整理番号：17A0450146

SnO_2ナノベルトの挿入によるSnO_2系バリスタにおける破壊電界の制御【Powered by NICT】

Controlling the breakdown electric field in SnO₂ based varistors by the insertion of SnO₂ nanobelts

著者 (3件)： Masteghin Mateus G. (Interdisciplinary Laboratory of Electrochemistry and Ceramics, Chemistry Institute, Sao Paulo State University, Araraquara, SP, Brazil) ,  Varela Jose A. (Interdisciplinary Laboratory of Electrochemistry and Ceramics, Chemistry Institute, Sao Paulo State University, Araraquara, SP, Brazil) ,  Orlandi Marcelo O. (Interdisciplinary Laboratory of Electrochemistry and Ceramics, Chemistry Institute, Sao Paulo State University, Araraquara, SP, Brazil)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 4  ページ： 1535-1540  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導性金属酸化物は多くの実用的な応用,バリスタを含む。SnO_2に基づくバリスタは高い非線形係数と高い絶縁破壊電場の両方を示した。本研究では,1D SnO_2ナノベルトの導入によるSnO_2~-CoO Cr_2O_3Nb_2O_5バリスタ系における絶縁破壊電場を制御するための容易な手段を提示した。材料は,0.10および0.20モル%でNb_2O_5ドーピングレベルとの固相反応法により調製した。材料は二重ビーム顕微鏡,直流とインピーダンス測定により詳細に研究した。二酸化スズ帯の誇張された三次元成長が観察され,これはOstwald熟成に起因していた。破壊電界はナノベルト挿入後2510V/cm2280V/cmと1700V/cm804V/cmから減少することが観測され,それぞれ0.10および0.20モル%Nb_2O_5を持つ系にした。観察された結果のモデルは帯を通る電子のパーコレーションに基づいて提案し,粒界での有効ポテンシャル障壁の数を減少させた。インピーダンスデータのシミュレーションは研究した両システムのためのナノベルト挿入による粒界抵抗の大きさ減少の一桁を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バリスタ ,  パーコレーション ,  絶縁破壊 ,  *電場 ,  結晶粒界 ,  固相反応 ,  三次元 ,  半導性 ,  有効ポテンシャル ,  Ostwald成長 ,  金属酸化物
準シソーラス用語： インピーダンス分光法 ,  二酸化スズ ,  インピーダンス測定 ,  *ナノベルト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バリスタ ,  二酸化すず ,  Nanobelts ,  電気的測定 ,  インピーダンス分光法

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノベルト ,  バリスタ ,  破壊 ,  電界