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J-GLOBAL ID：201702262396720827   整理番号：17A0122946

超伝導状態のNbSe₂原子層におけるIsing対形成

Ising pairing in superconducting NbSe₂ atomic layers

著者 (9件)： XI Xiaoxiang (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  WANG Zefang (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  ZHAO Weiwei (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  PARK Ju-Hyun (Florida State Univ., Florida, USA) ,  LAW Kam Tuen (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  BERGER Helmuth (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  FORRO Laszlo (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  SHAN Jie (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  MAK Kin Fai (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Nature Physics  (Nature Physics)
巻： 12  号： 2  ページ： 139-143  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： W2060A  ISSN： 1745-2473  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NbSe₂の薄膜(単一層から5層膜)とバルクの超伝導を,縦磁場および横磁場下での磁気輸送測定により調べた。単一層では横磁場下での臨界磁場がPauli常磁性限界の6倍を超え,超伝導状態は31.5Tまで持続した。これは電子スピンが面外方向に固定された,非中心対称なNbSe₂単一層におけるZeeman効果とスピン-軌道相互作用の競合により説明できる。著者らの実験結果は,スピン-運動量ロッキングにより保護された異常なIsing対形成の強い証拠である。

シソーラス用語： *セレン化ニオブ ,  超伝導薄膜 ,  単一層 ,  *超伝導 ,  *臨界磁場 ,  臨界温度 ,  温度依存性 ,  スピン-軌道相互作用 ,  Ising模型
準シソーラス用語： *上部臨界磁場 ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (2件)： 原子層 ,  対形成