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J-GLOBAL ID：201702262460736751   整理番号：17A0591465

グラフェンの品質におよぼす合成と転写条件の影響のパラメトリック研究

A Parametric Study on the Influence of Synthesis and Transfer Conditions on the Quality of Graphene

著者 (2件)： KUMAR Rakesh (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND) ,  MEHTA B.R. (Indian Inst. Technol. Delhi, New Delhi, IND)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 1  ページ： 286-299  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究の主目的は,大気圧化学蒸着システムで銅基板に成長したグラフェンの品質におよぼす合成パラメータと転写条件の効果に関する完全な描像の取得にある。銅基板のアニーリング温度,合成温度,成長持続時間,メタンと水素の流速,合成と冷却ステップ時の流率などの合成パラメータを制御して,単層グラフェンの最適合成条件を求めた。単層グラフェンの転写についても,ポリメチルメタクリル酸濃度と合成後の銅箔の裏面のエッチングを制御して最適化した。SiO₂/Siへの転写後のグラフェンのRaman分光分析結果と高移動度から,合成と転写条件の最適化による単層グラフェンの高品質化を確認した。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  基板 ,  銅 ,  *グラフェン ,  *解析 ,  *最適化 ,  熱処理 ,  基板温度 ,  水素 ,  流速 ,  Ramanスペクトル ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  エッチング ,  *転写 ,  *半導体薄膜 ,  アルカン
準シソーラス用語： *大気圧化学蒸着 ,  *単層グラフェン ,  *パラメトリック解析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  転写 ,  研究